近日，公司收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的 1 份《发明专利证书》，专利号ZL201010502011.1，专利名称《集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法》，专利申请日期2010年9月24日，期限20年，专利号第1099352号。
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集芯片设计、研发、封装检测和销售为一体的中国功率类半导体分立器件及集成电路企业
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近日，公司收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的 1 份《发明专利证书》，专利号ZL201010502011.1，专利名称《集成ESD保护的功率MOSFET或IGBT及制备方法》，专利申请日期2010年9月24日，期限20年，专利号第1099352号。